傳統(tǒng)TFT鍍膜工藝通常采用以濺射為代表的物理氣相淀積（PVD）法和等離子體化學(xué)氣相淀積（PECVD）法，這些技術(shù)需要在高真空下進(jìn)行，具有高成本、高污染、高能耗的缺點(diǎn)。另一方面，基于光刻技術(shù)的傳統(tǒng)微加工工藝雖能提供非常精細(xì)的圖形加工能力，但是，設(shè)備成本非常高，耗材嚴(yán)重，且套刻偏差不利于實(shí)現(xiàn)柔性TFT的制備。因此，無掩膜和非真空工藝已成為人們積極開展的研究方向。

    那么是否存在這樣的加工技術(shù)，它能夠結(jié)合非真空工藝實(shí)現(xiàn)低成本，用材少的目標(biāo)。隨著人們對(duì)TFT制造技術(shù)的不斷探索，印刷電子技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。顧名思義，印刷電子技術(shù)是將電子材料配成流動(dòng)性的墨水，像印刷報(bào)紙那樣采用印刷的方法大批量地制備各種電子元器件, 這無疑要比傳統(tǒng)的方法經(jīng)濟(jì)得多。圖1將印刷技術(shù)與傳統(tǒng)光刻技術(shù)進(jìn)行了比較。從圖中可以看到，印刷技術(shù)采用按需滴液的方式，直接形成圖形化的薄膜，這種加成法的工藝與減成法的光刻技術(shù)相比，在節(jié)省材料的同時(shí)能夠大大簡化工藝步驟，減少污染，降低成本。其中，針對(duì)金屬氧化物TFT而言，用于在襯底上形成氧化物半導(dǎo)體薄膜的墨水可分為兩大類，分別是溶膠-凝膠（sol-gel）型墨水和納米顆粒型墨水。前者通常是將金屬鹽作為前體溶解在溶劑中得到，后者通常是金屬氧化物納米顆粒在一定條件下均勻分散于溶劑中形成。采用溶膠-凝膠型墨水形成薄膜時(shí)，金屬鹽溶液需要進(jìn)行縮合化學(xué)反應(yīng)，并經(jīng)過干燥、燒結(jié)固化形成金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜。納米顆粒型墨水的成膜過程也需要通過高溫使有機(jī)溶劑等雜質(zhì)充分揮發(fā)去除，但與溶膠-凝膠相比，納米顆?？梢栽谙鄬?duì)較低的溫度進(jìn)行燒結(jié)，具有低溫制備的潛力，且納米顆粒型墨水比較穩(wěn)定。但是其弊端在于形成的薄膜比較粗糙，納米顆粒間的孔隙和有機(jī)殘留物阻礙電子傳輸，導(dǎo)致薄膜具有較低的遷移率和較高的電阻。需要說明的是，墨水就是可印刷的溶液，而這種由溶液經(jīng)過固化成膜的方法通常被稱為溶液法。與濺射的氧化物半導(dǎo)體薄膜相比，采用非真空溶液法制備氧化物半導(dǎo)體薄膜除了低成本的優(yōu)勢，還能簡單方便地調(diào)整各個(gè)溶液的配比，從而更加靈活地改變金屬氧化物中各元素所占的百分比。但是，溶液法制備氧化物TFT尚不成熟，器件的性能有待進(jìn)一步提高。